Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности анизотропии микроволнового низкотемпературного магнитосопротивления слабо легированного $p$-Ge, обусловленные наличием в нем легких и тяжелых дырок

А. И. Вейнгер, А. Г. Забродский, Т. В. Тиснек, С. И. Голощапов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано микроволновое магнитосопротивление слабо легированного (невырожденного) $p$-Ge с помощью методики электронного парамагнитного резонанса, которая позволяет регистрировать производную изменения микроволнового поглощения в магнитном поле, исходя из того, что изменение такого поглощения пропорционально изменению проводимости полупроводника. Из-за того, что при частоте электромагнитного поля 10 ГГц время усреднения эффективных масс легких и тяжелых дырок в области низких температур много больше периода колебаний, таким способом можно изучать индивидуальную реакцию на магнитное поле легких и тяжелых дырок. Показано, что микроволновое магнитопоглощение, связанное с легкими дырками, слабо зависит от направления магнитного поля относительно кристаллографических осей Ge. В то же время сигнал, связанный с тяжелыми дырками, при повороте образца в магнитном поле изменяется в несколько раз. Экспериментальные результаты сравниваются с теорией классического магниторезистивного эффекта.

Поступила в редакцию: 11.04.2011
Принята в печать: 15.04.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:10, 1264–1272

Реферативные базы данных:

•