Физика полупроводниковых приборов

Распределение электрического поля в $p$–$n$-переходах кремниевых детекторов с торцевой чувствительностью

В. К. Еремин^a, А. С. Налетко^a, Е. М. Вербицкая^a, И. В. Еремин^a, Н. Н. Егоров<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b НИИ Материаловедения, 124460 Зеленоград, Россия

Аннотация: Разработка кремниевых детекторов с торцевой чувствительностью (edgeless-детекторов) началась в 2004 г. в связи с подготовкой эксперимента TOTEM на Большом адронном коллайдере в ЦЕРНе. В рамках данного эксперимента необходимо регистрировать протоны, рассеянные под предельно малыми углами по отношению к протонному пучку БАК, что приводит к ограничению на максимальное расстояние между пучком и чувствительной областью детекторов. Для решения этой задачи был разработан новый тип кремниевых детекторов – детекторы с торцевой чувствительностью (edgeless-детекторы), имеющие структуру, контролирующую распределение тока вблизи края $p$–$n$-перехода. В настоящей работе исследованы распределение потенциала и электрического поля в области торца кремниевых edgeless-детекторов, обсуждаются модели, объясняющие полученные результаты, и их соответствие вольт-амперным характеристикам кремниевых edgeless-детекторов, разработанных для эксперимента TOTEM.

Поступила в редакцию: 28.02.2011
Принята в печать: 04.03.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1234–1241

Реферативные базы данных:

•