Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs

Д. А. Винокуров, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, А. Д. Бондарев, Н. А. Рудова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены лазерные гетероструктуры с активной областью, состоящей из сильно напряженной квантовой ямы GaInAs, помещенной между компенсирующими слоями GaAsP. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 1190 нм. Максимальная мощность излучения в непрерывном режиме генерации для лазерных диодов составила 4.5 Вт на зеркало. Использование компенсирующих барьеров GaAsP позволило получить нерелаксированную квантовую яму GaInAs, что проявилось в отсутствии разброса максимальной мощности излучения для лазерных диодов, полученных из одной лазерной гетероструктуры.

Поступила в редакцию: 15.02.2011
Принята в печать: 21.02.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1227–1230

Реферативные базы данных:

•