Эта публикация цитируется в 13 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия

Ф. Ю. Солдатенков, С. В. Сорокина, Н. Х. Тимошина, В. П. Хвостиков, Ю. М. Задиранов, М. Г. Растегаева, А. А. Усикова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: С использованием методики TLM (transmission line model) с радиальной и прямоугольной геометрией контактных площадок исследованы контактные системы Cr–Au, Cr–Au–Ag–Au, Ti–Pt–Au, Pt–Ti–Pt–Au, Pt–Au, Ti–Au, Ti–Pt–Ag, Ti–Pt–Ag–Au, Pt–Ag, осажденные на поверхность $p$-GaSb методами магнетронного распыления и резистивного испарения. Установлено, что контактные системы Ti–Pt–Ag–Au и Ti–Pt–Ag характеризуются наиболее низкими значениями удельного переходного контактного сопротивления ($\rho_c\le$ 10$^{-6}$ Ом $\cdot$ см$^2$), что позволяет использовать их для создания фотоэлектрических преобразователей, генерирующих фототоки до 15 А/см$^2$.

Поступила в редакцию: 14.02.2011
Принята в печать: 21.02.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1219–1226

Реферативные базы данных:

•