Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Распределение наночастиц CdSe, синтезированных в пористой матрице SiO$_x$

Ю. Ю. Бачериков, И. З. Индутный, О. Б. Охрименко, С. В. Оптасюк, П. Е. Шепелявый, В. В. Пономаренко

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции наночастиц CdSe, синтезированных химическим методом из водного раствора, в зависимости от локализации наночастиц по глубине в пористом слое SiO$_x$, представляющем собой набор из четких колонн SiO$_x$ с диаметром $\sim$(10–100) нм. На основании анализа излучательных характеристик данной структуры установлено, что распределение фракций наночастиц, имеющих разный размер, по глубине нанокомпозитного слоя различно. Рассмотрена модель, объясняющая причины такого распределения. В рамках этой модели проведены оценочные расчеты величины параметра, определяющего понятие “ограниченной геометрии” для данных условий формирования наночастиц CdSe в матрице SiO$_x$.

Поступила в редакцию: 16.02.2011
Принята в печать: 25.02.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1289–1293

Реферативные базы данных:

•