А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Ю. М. Спивак, В. А. Мошников, “Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках $n$- и $p$-типа, методами XANES и ИК спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 9,страницы 1229

Эта публикация цитируется в 32 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках $n$- и $p$-типа, методами XANES и ИК спектроскопии

А. С. Леньшин^a, В. М. Кашкаров^a, П. В. Середин^a, Ю. М. Спивак^b, В. А. Мошников^b

^a Воронежский государственный университет
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методами спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения и инфракрасной спектроскопии с преобразованием Фурье показаны различия в электронном строении и в составе образцов пористого кремния, полученных при одинаковом режиме электрохимического травления на наиболее распространенных подложках $n$- и $p$-типа различной проводимости. Показано, что значительно большее окисление и насыщение водородом наблюдается для пористого слоя, полученного на подложках $n$-типа.

Поступила в редакцию: 07.02.2011
Принята в печать: 16.02.2011