RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 9, страницы 1219–1222 (Mi phts8632)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности фотолюминесцентных свойств квантовых точек селенида кадмия с примесью меди

Г. И. Целиковa, С. Г. Дорофеевb, П. Н. Тананаевb, В. Ю. Тимошенкоa

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет

Аннотация: Исследовано влияние легирования медью на фотолюминесцентные свойства квантовых точек селенида кадмия со средним размером 4 нм. Наблюдается тушение экситонной полосы фотолюминесценции квантовых точек и появление примесной полосы фотолюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне после легирования квантовых точек медью. Установлено, что при легировании квантовых точек происходит существенное изменение кинетики фотолюминесценции. В то время как кинетика фотолюминесценции нелегированных квантовых точек хорошо описывается суммой экспоненциальных кривых релаксации, для образцов, легированных медью, в области примесной полосы наблюдается кинетика, описываемая “растянутой” экспонентой, со средними временами жизни 0.3–0.6 мкс для энергий фотонов в диапазоне 1.47–1.82 эВ. Указанные изменения в фотолюминесцентных свойствах объясняются трансформацией излучательных центров в квантовых точках после легирования атомами меди.

Поступила в редакцию: 16.02.2011
Принята в печать: 25.02.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1173–1176

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026