Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$

А. Ю. Егоров^ab, Н. В. Крыжановская^b, М. С. Соболев<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты расчета ширины запрещенной зоны в твердых растворах GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$, а также оценочные значения параметра гибридизации зоны проводимости GaP и локализованного уровня азота. Методом фотолюминесценции в диапазоне температур 15–300 K исследованы оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$, синтезированных на поверхности подложки GaP(100). Исследованные гетероструктуры представляют собой квантовые ямы GaP$_{0.814}$N$_{0.006}$As$_{0.18}$ толщиной 5 нм, разделенные барьерными слоями GaP толщиной 5 нм, с различным числом периодов. При оптическом возбуждении структур наблюдается интенсивная линия фотолюминесценции в спектральном диапазоне 620–650 нм. Спектры фотолюминесценции квантовых ям GaP$_{0.814}$N$_{0.006}$As$_{0.18}$/GaP сильно уширены вследствие неоднородности по составу четверного твердого раствора. Установлено, что увеличение числа слоев квантовых ям от 10 до 25 не приводит к деградации фотолюминесцентных свойств гетероструктур. Результаты исследований подтверждают возможность создания эффективных приборов оптоэлектроники на основе твердых растворов GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$.

Поступила в редакцию: 11.02.2011
Принята в печать: 21.02.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1164–1168

Реферативные базы данных:

•