Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние термообработки на параметры контактов металл–полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности $n$-GaAs

Е. В. Ерофеев^a, В. А. Кагадей<sup>b

a</sup> АО НПФ "МИКРАН", г. Томск
^b ООО Субмикронные технологии, 634055 Томск, Россия

Аннотация: Выполнены сравнительные исследования влияния термообработки на параметры омических контактов на основе многослойных систем Ge/Au/Ni, Ge/Au/Ti/Au, Ge/Au/Ni/Ti/Au и барьерных контактов на основе Ti/Au, сформированных на поверхности образцов $n$-GaAs (100), подвергнутой или не подвергнутой обработке в водном растворе (NH$_4$)$_2$S. Найдены режимы термообработки омических контактов, в которых для халькогенизированных образцов приведенное контактное сопротивление уменьшается в 2.5–15 раз по сравнению с нехалькогенизированными образцами. Определены оптимальные режимы термообработки халькогенизированных образцов GaAs с барьером Шоттки, которые позволяют уменьшить коэффициент идеальности, а также увеличить высоту барьера Шоттки и пробивное напряжение по отношению к нехалькогенизированным образцам.

Поступила в редакцию: 26.01.2011
Принята в печать: 09.02.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1148–1152

Реферативные базы данных:

•