Эта публикация цитируется в 2 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Компенсация проводимости $p$-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ

А. А. Лебедев^a, В. В. Козловский^b, С. В. Белов^a, Е. В. Богданова^a, Г. А. Оганесян<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено исследование скорости удаления носителей заряда $(V_D)$ в $p$-6H-SiC при его облучении протонами с энергией 8 МэВ. Образцы $p$-6H-SiC были получены методом сублимации в вакууме. Величина VD определялась как на основе анализа вольт-фарадных характеристик, так и на основе данных измерения эффекта Холла. Было обнаружено, что полная компенсация образцов с исходным значением $N_a-N_d\approx$ 1.5 $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-3}$ происходила при дозе облучения $\sim$1.1 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$. Скорость удаления носителей при этом составила $\sim$130 см$^{-1}$.

Поступила в редакцию: 02.03.2011
Принята в печать: 09.03.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1145–1147

Реферативные базы данных:

•