Эта публикация цитируется в 5 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами

Н. А. Соболев^a, А. Е. Калядин^a, Р. Н. Кютт^a, В. И. Сахаров^a, Е. И. Шек^a, В. В. Афросимов^a, Д. И. Тетельбаум<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы люминесцентные и структурные свойства в $n$-FZ-Si и $n$-Cz-Si, имплантированном ионами Si с аморфизующими дозами и отожженном при 1100$^\circ$C в хлорсодержащей атмосфере. Анализ спектров обратного резерфордовского рассеяния протонов в имплантированных образцах выявил формирование аморфного слоя, положение и толщина которого зависят от дозы имплантации. Методом рентгеновской дифракции обнаружено образование дефектов межузельного типа в образцах после отжигов. В спектрах фотолюминесценции при 78 K при низких уровнях возбуждения доминировала линия дислокационной люминесценции $D$1, которая наблюдалась и при 300 K. Положение максимума этой линии, ее полуширина и интенсивность зависели от типа Si и дозы имплантации. С увеличением мощности возбуждения люминесценции в спектре появляется непрерывная полоса. Предложена модель, объясняющая установленные закономерности в поведении спектров фотолюминесценции в зависимости от экспериментальных условий.

Поступила в редакцию: 02.03.2011
Принята в печать: 09.03.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1140–1144

Реферативные базы данных:

•