RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 9, страницы 1171–1174 (Mi phts8623)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние примеси железа на люминесценцию и фотопроводимость кристаллов ZnSe в видимой области спектра

Ю. Ф. Ваксманa, Ю. А. Ницукa, В. В. Яцунa, А. С. Насибовb, П. В. Шапкинb

a Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследована фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnSe : Fe в видимой области спектра. Установлена схема оптических переходов, происходящих в пределах примесных центров Fe$^{2+}$.
Показано, что высокотемпературная фотопроводимость кристаллов ZnSe : Fe обусловлена оптическими переходами электронов из основного состояния $^5E(F)$ на более высокие возбужденные энергетические уровни иона Fe$^{2+}$ с их последующей термической активацией в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe : Fe осуществляется светом из области собственного поглощения ионов Fe$^{2+}$.

Поступила в редакцию: 01.03.2011
Принята в печать: 09.03.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1129–1132

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026