Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Исследование структуры дефектов в пленках Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, выращенных жидкофазной эпитаксией, с помощью низкоэнергетической ионной обработки

И. И. Ижнин^a, А. И. Ижнин^a, Е. И. Фицыч^a, Н. А. Смирнова^b, И. А. Денисов^b, М. Поцяск^c, К. Д. Мынбаев<sup>d

a</sup> Научно-производственное предприятие "Карат", г. Львов
^b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", г. Москва
^c Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: С использованием низкоэнергетической ионной обработки и измерения электрических параметров образцов исследована структура дефектов пленок Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, выращенных жидкофазной эпитаксией. В пленках обнаружены нейтральные дефекты, предположительно связанные с нановключениями теллура. Ионная обработка электрически активирует эти дефекты, создавая в пленках высокую концентрацию донорных центров ($\sim$10$^{17}$ см$^{-3}$), распадающихся в течение $\sim$10$^3$ мин старения при комнатной температуре. После этого свойства материала определяются концентрацией остаточных доноров, которая для исследованных пленок оказалась очень низкой (вплоть до $\sim$10$^{14}$ см$^{-3}$).

Поступила в редакцию: 24.02.2011
Принята в печать: 04.03.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1124–1128

Реферативные базы данных:

•