Эта публикация цитируется в 12 статьях

Электронные свойства полупроводников

Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника AlN в области 4.2–300 K

Ю. В. Шалдин^a, S. Matyjasik<sup>b

a</sup> Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
^b International Laboratory of Strong Magnetic Fields and Low Temperature, 53-241 Wroclaw, Poland

Аннотация: Представлены результаты измерений поляризации AlN в интервале 4.3–300 K, по которым были рассчитаны величины пирокоэффициентов в зависимости от температуры. Эксперимент ставился как на исходном образце, выращенном из газовой фазы в атмосфере азота при $T\approx$ 2400 K, так и подвергнутом внешнему электрическому воздействию в поле разной полярности. Поляризация образца при $T$ = 4.2 K привела к принципиальному изменению полярного состояния реального образца AlN: за счет дефектов структуры возникает сегнетоэлектрическое упорядочение и на порядок увеличивается суммарная поляризация образца, зависящая от $T$. Выявленные аномалии прежде всего связаны с вхождением в состав кристалла неконтролируемой примеси кислорода, приводящей к значительным деформациям координационных тетраэдров в структуре вюрцита. Процесс замещения вакансий азота разнозаряженными ионами кислорода приводит не только к изменению дипольных моментов координационных тетраэдров, но и к изменению их ориентации в структуре. Сегнетоэлектрическое упорядочение в “чистом виде” в данном образце AlN существует только до $T\approx$ 80 K.

Поступила в редакцию: 21.02.2011
Принята в печать: 04.03.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1117–1123

Реферативные базы данных:

•