Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Исследование энергетических уровней примесных центров Er в Si методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии

Д. О. Филатов^a, И. А. Зимовец^b, М. А. Исаков^a, В. П. Кузнецов^a, А. В. Корнаухов<sup>a

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Метод баллистической электронной эмиссионной спекроскопии впервые применен для исследования энергетического спектра Er-содержащих примесных комплексов в Si. В баллистических электронных спектрах меза-диодов на основе $p^+$–$n^+$-Si-структур с тонким ($\sim$30 нм) поверхностным слоем $p^+$-Si : Er в области энергий баллистических электронов $eV_t$, меньших энергии края зоны проводимости $E_c$ в слое $p^+$-Si : Er, наблюдались особенности, связанные с туннельной инжекцией баллистических электронов из зонда сканирующего туннельного микроскопа на глубокие донорные уровни примесных комплексов Er в слое $p^+$-Si : Er с последующим термическим возбуждением в зону проводимости и диффузией к $p^+$–$n^+$-переходу и(или) прямым туннелированием в последний. Для обоснования данного предположения было проведено моделирование транспорта баллистических электронов в системе Pt-зонд-слой естественного окисла SiO$_2$-$p^+$-Si : Er-$n^+$-Si-подложка. Методом аппроксимации экспериментальных баллистических электронных спектров модельными спектрами определена энергия основного состояния Er-содержащего комплекса в Si: $E_d\approx E_c$ – 0.27 эВ. Указанное значение согласуется с опубликованными ранее в литературе данными, полученными методами измерения температурной зависимости концентрации свободных носителей в слоях Si :Er.

Поступила в редакцию: 07.02.2011
Принята в печать: 14.02.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:9, 1111–1116

Реферативные базы данных:

•