RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 8, страницы 1136–1143 (Mi phts8619)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Технология получения гетеропереходов в решетке двумерного фотонного кристалла на основе макропористого кремния

Ю. А. Жароваa, Г. В. Федуловаa, Е. В. Астроваa, А. В. Балдычеваb, В. А. Толмачевa, Т. С. Пероваb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Dublin, Trinity College, Dublin 2, Ireland

Аннотация: Предлагается конструкция и технология изготовления микрорезонаторной структуры на основе двойного гетероперехода в макропористом кремнии. Рассмотрен процесс изготовления полоски двумерного фотонного кристалла, состоящего из конечного числа периодов решетки, и технология формирования дефекта путем локального вскрытия макропор со стороны подложки с последующим заполнением их нематическим жидким кристаллом.

Поступила в редакцию: 26.01.2011
Принята в печать: 03.02.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 1103–1110

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026