Эта публикация цитируется в 15 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Анодные пленки Ga$_2$O$_3$

В. М. Калыгина, А. Н. Зарубин, Е. П. Найден, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Т. М. Яскевич

Сибирский физико-технический институт им. акад. В. Д. Кузнецова при Томском государственном университете

Аннотация: Представлены результаты исследования воздействия кислородной плазмы на пленки оксида галлия, полученные электрохимическим окислением пластин $n$-GaAs с концентрацией донорной примеси $N_d$ = (1–2) $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$. Показано, что обработка пленок в кислородной плазме при температуре 50–90$^\circ$C приводит к увеличению концентрации кристаллитов $\beta$-фазы, что вызывает повышение относительной диэлектрической проницаемости, снижение тангенса угла диэлектрических потерь и изменение электропроводности структур GaAs–$\langle$оксид галлия$\rangle$–металл.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 1097–1102

Реферативные базы данных:

•