RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 8, страницы 1126–1129 (Mi phts8617)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Обработка поверхности заготовок для изготовления CdZnTe-детекторов

О. А. Федоренко, Н. Г. Дубина, В. А. Христьян, И. С. Терзин

Научно-технологический комплекс "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, 61001 Харьков, Украина

Аннотация: Методами измерения микротвердости и химического избирательного травления определена глубина нарушенного слоя, образующегося на поверхности кристаллов CdZnTe при их стандартной механической обработке. Определены скорости химического травления поверхности кристаллов CdZnTe в растворах брома в метаноле, различающихся концентрацией брома.

Поступила в редакцию: 19.01.2011
Принята в печать: 26.01.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 1094–1096

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026