Эта публикация цитируется в 7 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Анодное окисление нанометровых слоев Si в структурах кремний-на-изоляторе

В. А. Антонов, Е. В. Спесивцев, И. Е. Тысченко

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследован процесс анодного окисления слоев кремния-на-изоляторе в зависимости от толщины слоя Si в диапазоне от 5 до 500 нм. Обнаружено, что уменьшение толщины пленки отсеченного кремния до величин менее 100 нм сопровождается резким снижением скорости анодного окисления. Для пленок кремния-на-изоляторе толщиной менее или порядка 10 нм предельная толщина окисленного слоя кремния составляет 0.4 нм. Показано, что основной причиной снижения эффективности анодного тока при окислении слоев Si нанометровой толщины является увеличение сопротивления рабочего слоя кремния, ограничивающее поток дырок в плоскости пленки и, как следствие, количество катионов кремния, поступающих к границе SiO$_2$/электролит для последующего их окисления.

Поступила в редакцию: 13.01.2011
Принята в печать: 21.01.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 1089–1093

Реферативные базы данных:

•