И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, В. А. Петров, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. Хребтов, Е. М. Танклевская, И. А. Селезнев, “Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 8,страницы 1114

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs

И. П. Сошников^ab, Дм. Е. Афанасьев^c, В. А. Петров^a, Г. Э. Цырлин^abd, А. Д. Буравлев^ab, Ю. Б. Самсоненко^abd, А. Хребтов^b, Е. М. Танклевская^b, И. А. Селезнев^e

^a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет
^d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^e Приборостроительный концерн "Океанприбор" (ОАО), Санкт-Петербург

Аннотация: Обнаружен аномальный пьезоэлектрический эффект в нитевидных нанокристаллах GaAs (коэффициент пьезоэлектрического преобразования $d_{33}\approx$ 26 пКл/Н). Полученный результат может объясняться преимущественным содержанием в нитевидных нанокристаллах GaAs фазы с кристаллической структурой типа вюрцита и увеличением усилия при давлении на контактный слой.

Поступила в редакцию: 17.02.2011
Принята в печать: 25.02.2011