Эта публикация цитируется в 28 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Механизмы токопереноса в анизотипных гетеропереходах $n$-TiO$_2$/$p$-CdTe

В. В. Брус^a, М. И. Илащук^b, З. Д. Ковалюк^a, П. Д. Марьянчук^b, К. С. Ульяницкий^a, Б. Н. Грицюк<sup>b

a</sup> Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев
^b Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Аннотация: Поверхностно-барьерные анизотипные гетеропереходы $n$-TiO$_2$/$p$-CdTe изготовлены напылением тонких пленок диоксида титана на свежесколотую поверхность монокристаллических пластин теллурида кадмия методом реактивного магнетронного распыления. Установлено, что электрический ток через исследуемые гетеропереходы формируется с помощью генерационно-рекомбинационных процессов в области пространственного заряда через глубокий энергетический уровень, а также туннелированием сквозь потенциальный барьер. Определены глубина залегания и природа примесных центров, принимающих участие в токопереносе.

Поступила в редакцию: 13.01.2011
Принята в печать: 21.01.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 1077–1081

Реферативные базы данных:

•