Эта публикация цитируется в 16 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электронные состояния эпитаксиального графена, сформированного на карбиде кремния

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Получено аналитическое выражение для плотности состояний монослоя графена, взаимодействующего с поверхностью карбида кремния (эпитаксиальный графен). Плотность состояний карбида кремния описывается в рамках модели Халдейна–Андерсона. Показано, что в результате взаимодействия графена с подложкой в его плотности состояний возникает узкая щель $\sim$0.01–0.06 эВ. Приведены оценки заряда атомов графена: показано, что на один атом графена из подложки переходит заряд $\sim$10$^{-3}$–10$^{-2}e$.

Поступила в редакцию: 24.01.2011
Принята в печать: 11.02.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 1070–1076

Реферативные базы данных:

•