Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптическое поглощение в сверхрешетках квантовых точек InAs/GaAs в электрическом поле при комнатной температуре

М. М. Соболев, И. М. Гаджиев, И. О. Бакшаев, В. Н. Неведомский, М. С. Буяло, Ю. М. Задиранов, Е. Л. Портной

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Мы сообщаем о результатах экспериментальных исследований при комнатной температуре спектров электролюминесценции и поглощения 10-слойной сверхрешетки квантовых точек InAs/GaAs, встроенной в двухсекционный лазер с секциями одинаковой длины. Толщина прослойки GaAs между слоями КТ InAs, определенная с помощью просвечивающей электронной микроскопии, была около 6 нм. В отличие от туннельно-связанных КТ, сверхрешетки КТ демонстрируют усиление оптической поляризации интенсивности излучения и волноводного поглощения ТМ-моды по сравнению с TE-модой. Было установлено, что изменения мультимодального периодического спектра дифференциального поглощения структуры со сверхрешеткой квантовых точек находятся в сильной линейной зависимости от величины приложенного к структуре электрического поля. Наблюдаемое поведение спектров дифференциального поглощения является демонстрацией эффекта Ваннье–Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs, в которой наличие внешнего электрического поля приводит к подавлению связывания волновых функций состояний электронов мини-зон и к образованию серии дискретных уровней, называемых состояниями лестницы Ваннье–Штарка.

Поступила в редакцию: 25.01.2011
Принята в печать: 28.01.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 1064–1069

Реферативные базы данных:

•