Эта публикация цитируется в 20 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фоточувствительные тонкопленочные барьеры Шоттки In/$p$-Pb$_x$Sn$_{1-x}$S: создание и свойства

В. Ф. Гременок^a, В. Ю. Рудь^b, Ю. В. Рудь^c, С. А. Башкиров^a, В. А. Иванов<sup>a

a</sup> Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Республика Беларусь
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом “горячей стенки” при температурах подложки 210–330$^\circ$C получены тонкие пленки Pb$_x$Sn$_{1-x}$S. Исследованы микроструктура, элементный состав, морфология и электрические характеристики пленок. На основе полученных пленок впервые созданы фоточувствительные барьеры Шоттки In/$p$-Pb$_x$Sn$_{1-x}$S. Исследованы спектры фоточувствительности этих структур, из которых определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения тонких поликристаллических пленок Pb$_x$Sn$_{1-x}$S в фотопреобразователях солнечного излучения.

Поступила в редакцию: 12.01.2011
Принята в печать: 21.01.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 1053–1058

Реферативные базы данных:

•