Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик

А. О. Голубок^ab, Ю. Б. Самсоненко^acd, И. С. Мухин^bc, А. Д. Буравлев^dc, Г. Э. Цырлин<sup>acd

a</sup> Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложен метод формирования одиночных полупроводниковых GaAs-нановискеров и их ансамблей на вершине химически заточенного вольфрамового острия в установке молекулярно-пучковой эпитаксии. Для выделения одиночного нановискера использовалась техника сфокусированного ионного пучка. Электронные свойства одиночных нановискеров исследовались с помощью упругой туннельной спектроскопии в условиях сверхвысокого вакуума. Измеренные вольт-амперные характеристики позволили оценить ширину запрещенной зоны GaAs-вискеров и степень легирования структуры.

Поступила в редакцию: 12.01.2011
Принята в печать: 14.01.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 1049–1052

Реферативные базы данных:

•