Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Исследование влияния сульфидной и ультрафиолетовой обработок поверхности $n$–$i$-GaAs на параметры омических контактов

С. М. Авдеев^a, Е. В. Ерофеев^b, В. А. Кагадей<sup>c

a</sup> Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
^b АО НПФ "МИКРАН", 634045 Томск, Россия
^c ООО "Субмикронные технологии", 634055 Томск, Россия

Аннотация: Исследована возможность улучшения параметров омических контактов на основе AuGe/Ni и Ge/Cu к $n$–$i$-GaAs с помощью модификации предварительно окисленной поверхности GaAs в сульфидсодержащем растворе, а также посредством воздействия ультрафиолетовым излучением, генерируемым эксимерной KrCl-лампой, на халькогенизированную поверхность. Показано, что предварительное окисление поверхности $n$–$i$-GaAs с последующей ее халькогенизацией позволяет уменьшить плотность поверхностных состояний, увеличить воспроизводимость процесса пассивации поверхности, а также в 1.5 раза уменьшить приведенное контактное сопротивление омических контактов AuGe/Ni. Обработка халькогенизированной поверхности $n$–$i$-GaAs ультрафиолетовым излучением с длиной волны $\lambda$ = 222 нм и плотностью мощности излучения $W$ = 12 мВт $\cdot$ см$^{-2}$, выполняемая в вакууме перед осаждением металлических слоев омических контактов Ge/Cu, позволяет уменьшить приведенное контактное сопротивление на 25–50%, а также улучшить морфологические характеристики поверхности контактной площадки.

Поступила в редакцию: 13.01.2011
Принята в печать: 21.01.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 1026–1031

Реферативные базы данных:

•