Аннотация:
Электрическое влияние между собранными в диодную матрицу контактами металл-полупроводник с барьером Шоттки проявляется в значительном изменении их поверхностного потенциала и статических вольт-амперных характеристик. Необходимым условием возникновения электрического взаимодействия между такими контактами является наличие вокруг них распространяющегося на достаточно большие расстояния ($<$ 30 мкм) электрического поля периферии - ореола. Достаточным условием является наличие областей перекрытия этих ореолов. Было показано, что изменение поверхностного потенциала и вольт-амперных характеристик контактов происходит под влиянием собственного электрического поля периферии контакта, а также под влиянием электрического поля периферии матрицы, образованного суперпозицией электрических полей ореолов образующих ее контактов. Степень такого влияния определяется расстоянием между контактами, а также полным суммарным зарядом областей пространственных зарядов всех контактов матрицы: их количеством, размерами (диаметром $D_{i,j}$), концентрацией легирующей примеси в полупроводнике $N_D$ и физической природой системы металл–полупроводник с барьером Шоттки (величиной $\varphi_b$).
Было установлено, что сближение контактов приводит к относительному уменьшению порогового значения “мертвой” зоны на прямых вольт-амперных характеристик, увеличению эффективной высоты барьера и незначительному увеличению показателя идеальности. Увеличение суммарной площади контактов (суммарного электрического заряда ОПЗ) в матрице приводит к увеличению порогового значения “мертвой” зоны, относительному понижению эффективной высоты барьера и незначительному увеличению показателя идеальности.
Поступила в редакцию: 13.11.2010 Принята в печать: 19.01.2011
Полный текст:
PDF файл (1621 kB)
