Эта публикация цитируется в 2 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре

Н. А. Соболев^a, А. Е. Калядин^a, Е. И. Шек^a, В. И. Сахаров^a, И. Т. Серенков^a, В. И. Вдовин^b, Е. О. Паршин^c, М. И. Маковийчук<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
^c Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН

Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции в кремнии $n$-типа проводимости после имплантации ионов эрбия при 600$^\circ$C и ионов кислорода при комнатной температуре и последующих отжигов при 1100$^\circ$C в хлорсодержащей атмосфере. В зависимости от длительности отжигов в спектрах фотолюминесценции при 80 K доминируют линии люминесценции ионов Er$^{3+}$ или дислокационной люминесценции. Обнаруженный при этой температуре коротковолновый сдвиг линии дислокационной люминесценции обусловлен проведением имплантации ионов эрбия при повышенной температуре. При комнатной температуре в спектрах наблюдаются линии эрбиевой и дислокационной люминесценции, но доминируют линии краевой люминесценции.

Поступила в редакцию: 30.12.2010
Принята в печать: 14.01.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 1006–1008

Реферативные базы данных:

•