Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Расчет электронной структуры вакансий и их компенсированных состояний в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{VI}}$

М. А. Мехрабова, Р. С. Мадатов

Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: На основе теории функций Грина и модели связывающих орбиталей определена электронная структура локальных дефектов – вакансий, а также их компенсированных состояний в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{VI}}$. Определены энергетические уровни в запрещенной зоне, вычислены изменения электронной плотности в полупроводниках GaS, GaSe, InSe с анионной и катионной вакансией и компенсацией этих вакансий. Установлено, что при компенсации вакансий атомом элемента той же подгруппы с такой же тетраэдрической координацией, ионный радиус которого меньше ионного радиуса замещенного атома, локальные уровни, образованные при введении вакансий, полностью исчезают. Показано, что этот механизм позволяет не только восстановить параметры кристалла, но и улучшить его характеристики.

Поступила в редакцию: 15.12.2010
Принята в печать: 21.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 998–1005

Реферативные базы данных:

•