Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Исследование оптических параметров халькогенидной полупроводниковой системы Se–As, содержащей примеси EuF$_3$

А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. Н. Гарибова, Р. И. Алекперов, В. З. Зейналов

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследованием оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников состава Se$_{95}$As$_5$ с различным содержанием примесей фторидов редкоземельных элементов (EuF$_3$) определены такие фундаментальные параметры, как показатель преломления, коэффициент экстинкции. Зависимость этих величин от концентрации молекул EuF$_3$ носит немонотонный характер: малые концентрации (до 0.25 ат%) уменьшают, а большие увеличивают их значения. Анализируя полученные результаты, а также учитывая структурные особенности халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Se$_{95}$As$_5$, т. е. наличие упорядоченных микрообластей с высоким координационным числом, отделенных друг от друга областями с пониженной атомной плотностью, сделан вывод, что оптические свойства указанной системы халькогенидных стеклообразных полупроводников можно описывать в рамках модели Пенна.

Поступила в редакцию: 26.01.2011
Принята в печать: 31.01.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 993–997

Реферативные базы данных:

•