Эта публикация цитируется в 9 статьях

Электронные свойства полупроводников

Суперионная проводимость в кристаллах TlGaTe$_2$

Р. М. Сардарлы^a, О. А. Самедов^a, А. П. Абдуллаев^a, Э. К. Гусейнов^b, Э. М. Годжаев^b, Ф. Т. Салманов<sup>a

a</sup> Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
^b Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Изучены температурные завиимости электропроводности $\sigma(T)$ и диэлектрической проницаемости $\varepsilon(T)$ одномерных (1D) монокристаллов TlGaTe$_2$. Обнаружена суперионная проводимость кристалла TlGaTe$_2$ выше температуры 305 K, связанная с диффузией ионов Tl$^+$ по вакансиям в подрешетке таллия между наноцепочками (Ga$^{3+}$Te$_2^{-2}$)$^-$. Установлен релаксационный характер диэлектрических аномалий, что предполагает существование в кристаллической решетке слабо связанных с ней электрических зарядов. Релаксаторами в кристаллах TlGaTe$_2$ при переходе в суперионное состояние являются диполи Tl$^+$-цепочки (Ga$^{3+}$Te$_2^{-2}$)$^-$, возникающие в результате плавления таллиевой подрешетки и прыжков Tl$^+$ из одного локализованного состояния в другое. Обнаружен эффект индуцированного полем перехода кристалла TlGaTe$_2$ в суперионное состояние.

Поступила в редакцию: 12.01.2011
Принята в печать: 19.01.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:8, 975–979

Реферативные базы данных:

•