RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 7, страницы 996–1000 (Mi phts8596)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние нелинейного насыщения усиления на предельную частоту модуляции в лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек

А. Е. Жуковab, Е. М. Аракчееваa, Н. Ю. Гордеевab, Ф. И. Зубовa, Н. В. Крыжановскаяab, М. В. Максимовab, А. В. Савельевa

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Определена предельная частота модуляции лазеров на основе самоорганизующихся квантовых точек с учетом эффекта нелинейного насыщения оптического усиления. Показано, что вследствие большого коэффициента нелинейного насыщения усиления, а также уменьшения дифференциального усиления с уровнем оптических потерь, предельное значение частоты модуляции достигается при оптимальных оптических потерях, заметно меньших насыщенного оптического усиления в активной области. В лазерах, использующих многослойные массивы квантовых точек, предельная частота модуляции возрастает с числом рядов квантовых точек на начальном участке зависимости, а при дальнейшем увеличении числа рядов стремится к пределу, обратно пропорциональному коэффициенту нелинейного насыщения усиления.

Поступила в редакцию: 22.12.2010
Принята в печать: 28.12.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 966–970

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026