Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние параметров AlGaAs–(AlGa)$_x$O$_y$ пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек

Н. В. Крыжановская^ab, С. А. Блохин^ab, М. В. Максимов^ab, А. М. Надточий^ab, А. Е. Жуков^ab, К. В. Федорова^a, Н. Н. Леденцов^bc, В. М. Устинов^b, Н. Д. Ильинская^b, Д. Бимберг<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, D-10623, Berlin, Germany

Аннотация: Исследовано влияние параметров слоя AlGaAs–(AlGa)$_x$O$_y$, образующего пьедестал микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs квантовых точек, на особенности спектра излучения при температуре 15 K и оптической накачке. Уменьшение глубины окисления слоя Al$_{0.97}$Ga$_{0.03}$As приводит к падению интенсивности линий мод “шепчущей галереи”, увеличению порога лазерной генерации и уменьшению добротности вследствие увеличения утечек в область подложки.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 962–965

Реферативные базы данных:

•