Эта публикация цитируется в 25 статьях

Углеродные системы

О термической устойчивости графона

А. И. Подливаев, Л. А. Опенов

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Методом молекулярной динамики исследована термоактивированная миграция атомов водорода в графоне – магнитном полупроводнике, представляющем собой монослой графена, покрытый с одной стороны водородом. Непосредственно определена температурная зависимость характерного времени разупорядочения графона из-за перескоков атомов водорода на соседние атомы углерода. Найдена энергия активации этого процесса: $E_a$ = (0.05 $\pm$ 0.01) эВ. Малая величина $E_a$ указывает на крайне низкую термическую устойчивость графона, что является серьезным препятствием для его практического использования в наноэлектронике.

Поступила в редакцию: 02.12.2010
Принята в печать: 22.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 958–961

Реферативные базы данных:

•