Эта публикация цитируется в 4 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Электрофизические и фотоэлектрические свойства наноструктур, полученных неэлектролитическим травлением кремния

Д. И. Биленко, В. В. Галушка, Э. А. Жаркова, И. Б. Мысенко, Д. В. Терин, Е. И. Хасина

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства наноструктур со слоями пористого кремния, полученными неэлектролитическим травлением кремния. Установлено, что фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур зависят от морфологии структур и определяются не только свойствами модифицированного слоя, но и наличием возможных барьеров в слоисто-пористом кремнии. Кратность отношения фотопроводимости к темновой достигала 10$^2$–5 $\cdot$ 10$^2$. Обнаружено наличие напряжения холостого хода $V_{\mathrm{oc}}$, которое составило $\sim$250 мВ при мощности падающего излучения, близкого к AM-1, $\sim$100 мВт/см$^2$. При этом плотность тока короткого замыкания $I_{\mathrm{sc}}$ составляла $\sim$20 мкА/см$^2$.

Поступила в редакцию: 07.12.2010
Принята в печать: 22.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 954–957

Реферативные базы данных:

•