Эта публикация цитируется в 6 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Проявление избыточных центров рождения электронно-дырочных пар, возникших в результате полевого и термического стрессов и их последующей аннигиляции, в динамических вольт-амперных характеристиках Si-МОП структур со сверхтонким окислом

Е. И. Гольдман, Н. Ф. Кухарская, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Исследовано образование центров рождения электронно-дырочных пар у границы раздела кремний-окисел при полевом и термическом воздействиях на Si-МОП структуры со сверхтонким окислом, а также послестрессовая аннигиляция этих образований. Концентрации центров генерации неосновных носителей заряда (дырок) определялись из экспериментальных динамических вольт-амперных характеристик Si-МОП диодов путем фиксации продолжительности накопления равновесной плотности дырок у поверхности, разделяющей полупроводник и диэлектрик при переходе образца из состояния глубокого обеднения в состояние сильной инверсии. Показано, что МОП структуры со сверхтонким окислом гораздо более “податливы” полевому и термическому стрессам по сравнению с образцами с толстым изолирующим слоем: объекты со сверхтонким окислом легче повреждаются внешними воздействиями, но и быстрее восстанавливаются в исходное состояние при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 12.01.2011
Принята в печать: 14.01.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 944–949

Реферативные базы данных:

•