Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние фотоэдс на токопрохождение в контактах металл–полупроводник с барьером Шоттки

Н. А. Торхов

Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, 634050 Томск, Россия

Аннотация: Показано, что изменение приборных характеристик и увеличение эффективности преобразования световой энергии в электрическую в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки связано с влиянием встроенного в контакт электрического поля периферии. Для исследуемых контактов с большим периметром изменения приборных характеристик и эффективность преобразования световой энергии в электрическую значительно больше. Из-за того, что электрическое поле фотоэдс, как и электрическое поле периферии, в области контакта сонаправлено с собственным электрическим полем области пространственного заряда, освещение контакта приводит к более сильному увеличению “мертвой” области на прямых ветвях вольт-амперных характеристик, более сильному уменьшению эффективной высоты барьера Шоттки и увеличению полевой эмиссии электронов. Увеличение полевой эмиссии в обратном направлении под воздействием фотоэдс приводит к увеличению рекомбинационного тока в области пространственного заряда, что и обеспечивает протекание постоянного фототока в цепи.

Поступила в редакцию: 11.01.2011
Принята в печать: 14.01.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 935–943

Реферативные базы данных:

•