Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Дефекты кристаллической структуры в слоях Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, выращенных на подложках из Si(310)

М. В. Якушев, А. К. Гутаковский, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии и селективного травления исследована микроструктура слоев CdTe(310) и CdHgTe(310), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из Si. Установлено, что в гетероструктурах CdHgTe/CdTe/ZnTe/Si(310) образование антифазных доменов определяется условиями формирования интерфейса ZnTe/Si. Создав условия, облегчающие адсорбцию цинка, возможно получение монодоменных слоев. Повышение температуры роста и давления паров Te$_2$ вызывает появление антифазных доменов и увеличение их плотности вплоть до роста поликристалла. Обнаружено, что в гетероструктуре CdHgTe/Si(310) присутствуют дефекты упаковки, анизотропно распределенные в объеме выращенных слоев. Дефекты упаковки преимущественно лежат в одной плоскости (111), пересекающей поверхность (310) под углом 68$^\circ$. Зарождение дефектов упаковки происходит на границе раздела ZnTe/Si(310). Обсуждаются причины образования дефектов упаковки и их анизотропного распределения.

Поступила в редакцию: 28.12.2010
Принята в печать: 31.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 926–934

Реферативные базы данных:

•