Эта публикация цитируется в 24 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Четверные твердые растворы (FeIn$_2$S$_4$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и фоточувствительные структуры на их основе

И. В. Боднарь^a, В. Ю. Рудь^b, Ю. В. Рудь^c, Д. В. Ложкин<sup>a

a</sup> Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом направленной кристаллизации расплава (FeIn$_2$S$_4$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ выращены гомогенные кристаллы аналогичного атомного состава во всем интервале показателя состава 1 $\ge x\ge$ 0. Установлено, что кристаллы непрерывного ряда четверных твердых растворов в диапазоне $x$ = 0–1 кристаллизуются в структуре шпинели, причем параметр элементарной ячейки $a$ обнаружил линейную зависимость от значения $x$. Установлена возможность получения фоточувствительных структур In(Al)/(FeIn$_2$S$_4$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$. Получены спектры относительной квантовой эффективности фотопреобразования впервые созданных структур In(Al)/(FeIn$_2$S$_4$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ при комнатной температуре. Из анализа этих спектров определены энергии прямых и непрямых межзонных переходов для кристаллов твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и обсуждается зависимость этих параметров от показателя состава позиционно-разупорядоченных фаз указанных твердых растворов. Сделан вывод о возможностях использования кристаллов растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 912–916

Реферативные базы данных:

•