Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фотопроводимость многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к Si-матрице

А. Б. Талочкин, И. Б. Чистохин

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, полученными псевдоморфно к Si-матрице. Наблюдались линии оптических переходов между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Это позволило построить подробную энергетическую диаграмму электронно-дырочных уровней структуры. Показано, что дырочные уровни псевдоморфных квантовых точек Ge хорошо описываются с помощью простейшей модели “квантового ящика” с использованием реальных размеров островков Ge. Установлена возможность управления положением длинноволновой границы фоточувствительности с помощью изменения параметров роста структур Si/Ge с квантовыми точками Ge.

Поступила в редакцию: 30.11.2010
Принята в печать: 13.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 907–911

Реферативные базы данных:

•