Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Продольная электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в сильном квантующем магнитном поле

П. В. Горский

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина

Аннотация: Определена продольная электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в сильном квантующем магнитном поле, перпендикулярном слоям. При этом рассмотрены условия, когда параметр упорядочения и химический потенциал носителей тока являются осциллирующими функциями индукции магнитного поля B. Продольная электропроводность рассчитана для двух моделей времени релаксации: времени, пропорционального продольной скорости носителей тока, и постоянного времени. Показано, что в первой модели относительный вклад осциллирующей части проводимости меньше, чем во второй. В сильных магнитных полях полная электропроводность слоистого кристалла в случае времени релаксации, пропорционального породольной скорости, вначале превышает полную продольную электропроводность для случая постоянного времени релаксации. Однако в очень сильных магнитных полях в условиях сосредоточения носителей тока в единственной заполненной подзоне Ландау полная электропроводность в случае времени релаксации, пропорционального продольной скорости, снова меньше, чем в случае постоянного времени релаксации. В этих условиях при постоянном времени релаксации полная электропроводность стремится к нулю по закону $\sigma_{zz}\propto B^{-2}$, а при времени релаксации, пропорциональном продольной скорости, – по закону $\sigma_{zz}\propto B^{-3}$.

Поступила в редакцию: 19.08.2010
Принята в печать: 23.11.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 900–906

Реферативные базы данных:

•