Эта публикация цитируется в 3 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Зависимость проводимости освещенного неидеального гетероперехода от внешнего смещения

В. А. Борщак, В. А. Смынтына, Е. В. Бритавский, А. П. Балабан, Н. П. Затовская

Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова

Аннотация: Показана возможность применения туннельно-прыжковой модели токопереноса для расчета проводимости в барьерной области освещенного неидеального гетероперехода. Проведен расчет вольт-амперной характеристики гетероперехода с учетом преобладания туннельно-прыжкового механизма переноса в барьерной области и с учетом изменения формы потенциального барьера при освещении. Показано, что рассчитанные при разных уровнях освещения вольт-амперные характеристики такого гетероперехода хорошо совпадают с наблюдаемыми экспериментально.

Поступила в редакцию: 28.12.2010
Принята в печать: 31.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 894–899

Реферативные базы данных:

•