RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 7, страницы 916–921 (Mi phts8583)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние морфологии и состава фаз поверхности на радиационную стойкость гетерофазного материала CdS–PbS

И. В. Маляр, С. В. Стецюра

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: В результате комплексного исследования гетерофазного фоточувствительного материала CdS–PbS с помощью методов сканирующей электронной микроскопии и оже-спектрометрии была обнаружена зависимость радиационной стойкости указанного материала от морфологии и состава фаз на его поверхности. Показано, что с ростом температуры отжига происходит рост скоплений с преимущественным содержанием PbS и изменение их состава вследствие реакции замещения атомов серы атомами кислорода. Последний из указанных процессов приводит к снижению радиационной стойкости гетерофазного фоточувствительного материала CdS–PbS, что объясняется снижением геттерирования ввиду возникновения промежуточного оксидированного слоя между PbS и CdS. Рост размеров и числа сферических скоплений на поверхности, состоящих из кристаллитов с преимущественным содержанием PbS, приводит к увеличению радиационной стойкости.

Поступила в редакцию: 22.12.2010
Принята в печать: 28.12.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 888–893

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026