Эта публикация цитируется в 6 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Фотолюминесценция CdTe, выращенного при значительном отклонении от термодинамического равновесия

В. С. Багаев, Ю. В. Клевков, С. А. Колосов, В. С. Кривобок, Е. Е. Онищенко, А. А. Шепель

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: С помощью низкотемпературной фотолюминесценции и электрофизических измерений исследован нелегированный теллурид кадмия, полученный в различных режимах быстрой кристаллизации из паровой фазы при температурах 420–600$^\circ$C. Показано, что, несмотря на сравнительно большую скорость роста ($\sim$1 мкм/с), основные параметры, характеризующие решетку и зонную структуру материала, близки к литературным значениям для монокристаллического CdTe. Тип проводимости полученных кристаллов определяется водородоподобными донорами и акцепторами, связанными с фоновыми примесями. Помимо фоновых примесей в текстурах $n$-типа обнаружены компенсирующие акцепторы с нестандартными энергиями активации 48.5 $\pm$ 0.5, 98.0 $\pm$ 0.5 и 119.5 $\pm$ 0.5 мэВ. Показано, что сочетание пониженной температуры роста и избытка теллура приводит к резкому увеличению концентрации глубоких электронных состояний и изоэлектронных дефектов с пониженной симметрией.

Поступила в редакцию: 28.12.2010
Принята в печать: 31.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 880–887

Реферативные базы данных:

•