Эта публикация цитируется в 20 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Фотолюминесценция гетероструктур на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

К. Д. Мынбаев^a, Н. Л. Баженов^a, В. И. Иванов-Омский^a, Н. Н. Михайлов^b, М. В. Якушев^b, А. В. Сорочкин^b, В. Г. Ремесник^b, С. А. Дворецкий^b, В. С. Варавин^b, Ю. Г. Сидоров<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследована фотолюминесценция (ФЛ) гетероструктур на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs и Si. Установлено, что для подобных структур характерно существенное нарушение дальнего порядка в кристаллической решетке. Показано, что наблюдаемое разупорядочение в основном обусловлено неравновесным характером МЛЭ и может быть частично снято постростовым термическим отжигом. В спектрах эпитаксиальных слоев и в структурах с потенциальными ямами без эффекта размерного квантования при низких температурах доминирует пик рекомбинации экситона, локализованного в хвостах плотности состояний, энергия которого существенно меньше ширины запрещенной зоны. В квантово-размерных структурах при низких температурах основной пик ФЛ обусловлен рекомбинацией носителей заряда между уровнями квантования, и энергия излучаемого фотона строго определяется эффективной (с учетом энергии уровней квантования) шириной запрещенной зоны.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 872–879

Реферативные базы данных:

•