Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Глубокие электронные состояния в нелегированном поликристаллическом CdTe, отожженном в жидком кадмии

Е. А. Боброва, Ю. В. Клевков

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) определен набор глубоких электронных состояний после отжига в жидком кадмии нелегированного поликристалла $n$-CdTe, выращенного путем химического синтеза из паровой фазы в сильно неравновесных условиях. После отжига концентрация электронов возросла от $\sim$10$^8$ до 10$^{15}$ см$^{-3}$. Доминирующими в спектре DLTS были электронные ловушки с глубокими уровнями $E_1$ = 0.84 $\pm$ 0.03 эВ и $E_2$ = 0.71 $\pm$ 0.02 эВ с суммарной концентрацией $\sim$10$^{14}$ см$^{-3}$. Обсуждается роль границ зерен и собственных точечных дефектов в формировании глубоких центров и их влияние на величину проводимости в результате отжига. Рассматривается связь уровня $E_1$ с комплексами собственных точечных дефектов, а уровня $E_2$ с точечным дефектом Cd$_i$.

Поступила в редакцию: 22.12.2010
Принята в печать: 28.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 45:7, 865–871

Реферативные базы данных:

•