Электронные свойства полупроводников

Нестационарная спектроскопия $\alpha$-центров Рывкина

А. П. Одринский

Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск

Аннотация: Рассмотрены особенности DLTS-регистрации дефектов, обладающих склонностью к перезахвату термически возбуждаемых носителей вследствие большой величины эффективного сечения захвата. Обнаружены признаки, позволяющие идентифицировать реализацию данной модели.

Поступила в редакцию: 22.12.2010
Принята в печать: 28.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 857–860

Реферативные базы данных:

•