Эта публикация цитируется в 15 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности механизма “априорного” сильного легирования интерметаллического полупроводника $n$-TiNiSn

В. А. Ромака^ab, P. Rogl^c, В. В. Ромака^b, E. K. Hlil^d, Ю. В. Стаднык^e, С. М. Буджерак<sup>b

a</sup> Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. С. Пидстригача НАН Украины, г. Львов
^b Национальный университет ``Львовская политехника''
^c Институт физической химии Венского университета, А-1090 Вена, Австрия
^d Институт Нееля Национального центра научных исследований, 38042 Гренобль, Франция
^e Львовский национальный университет им. И. Франко

Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника $n$-TiNiSn. Определены природа “априорного легирования” $n$-TiNiSn донорами как результат частичного, до 0.5 ат%, перераспределения атомов Ti и Ni в кристаллографических позициях Ti. Установлена корреляция между концентрацией доноров, амплитудой модуляции зон непрерывных энергий, а также степенью заполнения носителями заряда потенциальных ям мелкомасштабных флуктуаций. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.

Поступила в редакцию: 21.12.2010
Принята в печать: 28.12.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 850–856

Реферативные базы данных:

•