RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 7, страницы 874–878 (Mi phts8576)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Термоэлектрические свойства BiTeI с BiI$_3$, CuI и сверхстехиометрическим Bi

В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, З. В. Лаврухина, А. Н. Кузнецов, А. В. Маркелов, А. В. Шевельков

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Синтезированы образцы BiTeI, и исследованы их гальваномагнитные и термоэлектрические свойства при добавлении BiI$_3$, CuI и сверхстехиометрического Bi. Коэффициент Зеебека образцов BiTeI с добавлением СuI существенно увеличивается, в то время как их теплопроводность уменьшается. Аналогично и для образцов BiTeI с BiI$_3$. Наличие сверхстехиометрического Bi уменьшает теплопроводность и электропроводность, практически не изменяя термоэдс.

Поступила в редакцию: 01.12.2010
Принята в печать: 12.12.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 845–849

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026