RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 7, страницы 865–873 (Mi phts8575)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Когерентные фазовые равновесия в системе Zn–Cd–Te и жидкофазная эпитаксия упругодеформированных слоев твердых растворов Zn$_x$Cd$_{1-x}$Te

П. П. Москвинa, Л. В. Рашковецкийb, Ф. Ф. Сизовb, В. А. Мошниковc

a Житомирский государственный технологический университет
b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

Аннотация: Экспериментально и теоретически исследовано влияние упругих напряжений, возникающих в эпитаксиальных слоях твердых растворов Zn$_x$Cd$_{1-x}$Te, осаждаемых на подложку CdTe, на параметры процесса выращивания. Фазовые равновесия между упругонапряженным слоем твердого раствора, кристаллическая решетка которого непрерывным образом (когерентно) сопряжена с кристаллической решеткой массивной подложки, описывались когерентной диаграммой состояния. Процессы массопереноса вещества при формировании гетероструктур на основе указанных твердых растворов и подложки из исходных двухкомпонентных соединений описывались в модели диффузионно-ограниченной кристаллизации. Показано, что такими термодинамическими представлениями возможно описать полученные экспериментальные данные по параметрам проведения процесса кристаллизации упругонапряженных слоев твердых растворов при формировании гетеропереходов в системе, включающей Zn–Cd–Te и подложку из исходного двухкомпонентного соединения.

Поступила в редакцию: 16.06.2010
Принята в печать: 03.12.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:7, 837–844

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026